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　　技术水平：中微公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。MOCVD设备大规模投入量产，在全球氮化镓基LED设备市占率80%。过去20年中微开发了15种等离子体刻蚀设备。

　　产品结构（2023年）：刻蚀设备收入47亿元；MOCVD收入4.6亿元；备品备件收入9.7亿元；其他收入1.3亿元。

　　晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。

　　等离子体刻蚀设备是除光刻机以外最关键的微观加工设备，是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高的设备。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制程的性变化。

　　存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为最关键的步骤，对这两类设备的需求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高。

　　中微的刻蚀产品已对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，可调节电极间距的CCP刻蚀机Primo SD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户开展现场验证。

　　中微也与其他多家逻辑芯片制造客户达成现场评估意向。Primo SD-RIE具有实时可调电极间距功能，有效地应对一体化大马士革刻蚀工艺中要求的在同一刻蚀工艺中达到最优的沟槽和通孔刻蚀均匀性的问题，极大拓宽一体化刻蚀工艺的工艺窗口。

　　：Inductive Coupled Plasma，电感性耦合的等离子体源，应用于集成电路制造中单晶硅、多晶硅以及多种介质等材料的刻蚀。ICP设备有6个单台反应器和3个双台反应器系统，Nanova单台机订单年增长超过100%，迅速扩大市场占有率，双台机也已进入生产线+反应台在线年中微公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产。ICP刻蚀设备中的Primo Nanova系列产品在客户端安装腔体数近三年实现100%的年均复合增长。

　　Nanova VEHP在DRAM 的高深宽比的多晶硅掩膜应用上，在客户的产线上认证成功，已获得批量重复订单。NanovaLUX也已付运至多个客户的产线上开始认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管MicrO-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜(Metalens)等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。

　　MOCVD设备：应用于蓝绿光及紫外LED外延片和功率器件的生产。MOCVD设备有4个独立操作的反应器系统，开发了用于照明和先进显示的UniMax等三代设备，以及用于深紫外芯片生产设备，在国内外氮化镓基LED市场占主导地位。

　　2023年中微用于蓝光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED显示的PRISMO UniMax等产品持续服务客户。截止2023年，中微保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUniMax产品自2021年6月正式发布以来，具备高产量、高波长均匀性、高良率等优点，在 Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。

　　LPCVD设备：Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积，应用于先进逻辑器件、DRAM 和 3D NAND中接触孔以及金属钨线的填充。

　　ALD设备：Atomic layer deposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。